抢先台积电三星宣布已经开始生产3nm制程芯片

赶在6月结束之际，三星宣布已经开始开始生产3nm制程芯片，象征在制程技术发展领先竞争对手。

三星的3nm制程技术基于环绕式闸极（Gate-All-Around，GAA）晶体管架构设计，相比台积电目前采用的鳍式场效晶体管（Fin Field Effect Transistor，FinFET）能让芯片发挥更高运算性能，并且能藉由降低电压提升能源效益。

相较先前的5nm制程，三星强调3nm制程约可降低45%能耗，并且让运算性能提升25%，芯片占用面积约可缩减16%，预期可应用在更轻薄手机产品，或是更小装置使用。

在台积电预期要等到2023年才会开始生产3nm制程芯片产品情况下，预期三星将会藉由3nm制程技术抢先争取更多代工需求客户。

不过，从先前Qualcomm藉由三星5nm制程技术量产Snapdragon 8 Gen 1处理器，却出现容易过热问题，因此在后续推出的Snapdragon 8+ Gen 1处理器，则因为换成台积电5nm制程技术，进而在运作发热控制有较好表现，使得市场对于三星推出3nm制程技术良率表现感到质疑。

目前台积电依然是全球最大芯片代工业者，市占率高达53%，其次则是三星，市占率约在18%，而台积电预计会在2025年进入2nm制程发展，预期三星也会积极抢进2nm制程技术市场。